Программа расчёта интенсивности электрического и магнитного поля световой волны в многослойных полупроводниковых структурах

Назначение. Программа предназначена для автоматизированного расчёта  интенсивности электрического и магнитного поля световой волны в многослойных (в том числе содержащих квантовые ямы)  полупроводниковых структурах.

Область применения. Фотолюминесцентные исследования полупроводниковых материалов. Математическое моделирование интенсивности электрического и магнитного поля световой волны в в многослойных (в том числе содержащих квантовые ямы)  полупроводниковых структурах.

Используемый алгоритм. Расчёт интенсивости электрического и магнитного поля световой волны в многослойных структурах осуществляется классическим методом матриц переноса и подробно описан в [1]. В дополнение к классическому методу матриц переноса, в использованном алгоритме применяются специальные формулы для расчёта отражения, пропускания и поглощения для слоёв материала, которые являются квантовыми ямами (формулы приведёны в [2]).

1. Борн М. Вольф Э. Основы оптики. Изд. 2-е. Перевод с англ.  М.: изд-во «Наука», 1973. 713 с.

2. Kavokin A., Malpuech G. Thin films and nanostructures: Vol. 32 Cavity Polaritons. Elsevier, 2003. 246 p.

В качестве входных данных программа использует текстовые файлы, описывающие  для каждого из слоёв структуры толщину и коэффициент преломления. Для слоёв, являющихся квантовыми ямами, через текстовый файл вводятся резонансная частота экситона,  величины радиационного и нерадиационного затухания.  Угол падения световой волны вводится через командный пользовательский интерфейс.

Функциональные возможности. Программа позволяет получать значение интенсивности электрического и магнитного поля световой волны в различных точках многослойных (в том числе содержащих квантовые ямы)  полупроводниковых структур.

Инструментальные средства создания:  MathSoft MATLAB R2011b.